作者：牛萍娟; 刘宏伟; 郭维廉; 李晓云器件模拟量子阱
摘要：使用SILVACO公司的器件模拟软件ATLAS对A1GaAs／GaAs共振隧穿二极管(RTD)进行了器件模拟，得到了不同结构的RTD的I-V特性曲线。对量子阱宽度、掺杂浓度、势垒宽度和高度对RTD的I-V特性的影响进行了详细的分析。
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《微纳电子技术》（CN：13-1314/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。
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