作者:陈传荣; 赵霞; 蒋幼泉gaasmmic通孔破裂应力砷化镓微波单片集成电路热膨胀匹配受力结构
摘要:就GaAs MMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案.
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