芯片速度高速无线网络ibm硅锗芯片速度记录速度极限锗元素
摘要：据国外媒体报道，IBM与佐治亚理工学院（Georgia Tech）成功使一颗芯片运行在500GHz，当时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗（SiGe）芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《网络与信息》是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。
省级期刊
人气 653450 评论 60
部级期刊
人气 444364 评论 71
人气 222183 评论 68
人气 214088 评论 71
