作者：包黎红; 陶如玉; 特古斯; 黄颖楷; 冷华倩...逸出功磁电阻
摘要：采用X射线劳厄定向法对单晶CeB_6的（110）,（111）,（210）和（310）晶面进行了定向.系统研究了不同晶面热发射性能及磁场对电阻率的影响规律.结果表明,当阴极温度为1873 K时（110）,（111）,（210）和（310）晶面最大发射电流密度分别为38.4,11.54,50.4和20.8 A/cm~2,表现出了发射性能的＂各向异性＂.RichardsonDushman公式计算逸出功结果表明,上述晶面中（210）晶面具有最低的逸出功,为2.4 eV.从实际应用来看,该晶面有望替代商业化的钨灯丝成为新一代的场发射阴极材料.磁电阻率测量结果显示,当晶体从[001]方向旋转至[011]方向时电阻率从73μ？·cm变化至69μ？·cm,表明电阻率在磁场中沿不同方向同样具有＂各向异性＂的特点.
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