作者：王贞福; 杨国文; 吴建耀; 宋克昌; 李秀山...半导体激光器阵列电光转换效率光吸收损耗非对称宽波导结构
摘要：通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm -1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25℃下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.
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