作者：王锋 潘荣萱 林海容非晶fezno异常霍尔效应磁性半导体自旋极化的输运
摘要：采用射频共溅射方法制备了FezZn1-xO（x=0．80，0．86，0．93）非晶薄膜，该薄膜具有较强的室温铁磁性，制备态的Fe093Zn0．07O的饱和磁化强度Ms可达333．29emu／cm3，磁性能是各向同性的．与多晶的FezZn1-xO（z≤20％）不同的是样品出现了明显的异常霍尔效应（AHE），样品均为n型半导体，载流子浓度约为10^19-10^20cm^-3．退火后的样品在低温222K下存在着电阻极小值现象．薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖的电子变程跃迁机理，上述实验结果表明高Fe含量的非晶FeZnO体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能．
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