作者：丁 桑云刚 于威 杨彦斌 滕晓云 傅广生对靶磁控溅射富硅氮化硅异质结传输机理
摘要：采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅（c—Si）衬底上沉积n型富硅氮化硅（SiNx）薄膜，形成了富硅SiNx／c—Si异质结．异质结器件呈现出较高的整流比，在室温下当V=4-2V时为1．3×10^3．在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域．在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理，在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的，在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流（SCLC）传输机理为主．
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