作者：刘凡宇 刘衡竹 刘必慰 梁斌 陈建军电荷共享单粒子效应双极晶体管效应
摘要：基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p＋深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明：改变p＋深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p＋深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.
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《物理学报》（CN：11-1958/O4）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001—2010年度“百种杰出期刊”奖，中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项，2009年获得“新中国60年有影响力的期刊”荣誉称号，2010年荣获出版界国家最高奖——中国政府出版奖期刊奖，2012年和2013年连续获得“中国最具国际影响力学术期刊”荣誉称号，2013年获得国家新闻出版广电总局评定的“全国百强科技期刊”。
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