作者：徐天宁 吴惠桢 隋成华非对称量子阱rashba效应
摘要：窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注．Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征，因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异．计算了多个取向的Pb1-ySryTe／PbTe／Pb1-xSrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能，结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5．0nm时高达2．2meV，而沿其他两个主要方向（[110]，[111]）生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能．给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系．Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能，这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值．
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