作者：常方高; 宋桂林; 房坤; 王照奎氧含量正电子寿命介电常数介电损耗
摘要：采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷.实验结果表明：引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%—35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小.氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加.在氧含量δ=2.99时电子密度最大（ne=3.90×10^23/cm^3）,继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大.BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解.
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