作者：黄永宪; 田修波; 杨士勤; Fu; Ricky; Chu...等离子体浸没离子注入鞘层粒子模型上升沿
摘要：等离子体浸没离子注入（PⅢ）是用于材料表面改性的一种廉价高效、非视线的技术，采用等离子体粒子模型，通过假设电子密度服从Boltzmann分布，求解Poisson方程和Newton方程，跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析，研究了不同上升速率和形状的6种波形上升沿对鞘层时空演化、离子注入能量和剂量的影响。结果表明，在PⅢ过程中，脉冲上升沿影响了等离子体鞘层的扩展，且不同波形诱导的鞘层厚度间存在最大差值，电场强度在鞘层的外边缘区域存在陡降区，离子的运动为非匀加速过程，可以通过调整脉冲波形上升沿特性实现离子注入能量和剂量的优化，数值仿真可以有效地为电源设计和工艺优化提供依据。
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