作者：朱志炜; 郝跃; 马晓华; 曹艳荣; 刘红侠突发击穿软击穿应力引起的泄漏电流热电子应力
摘要：实验结果发现突发击穿（snapback）。偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层。产生界面态，同时空穴会陷落在氧化层中．由于栅氧化层很薄，陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱，使得栅隧穿电流不断增大．这些氧化层电子陷阱俘获电子后带负电，引起阈值电压增大、亚阈值电流减小．关态漏泄漏电流的退化分两个阶段：第一阶段亚阈值电流是主要成分，第二阶段栅电流是主要成分．在预加热电子（HE）应力后，HE产生的界面陷阱在snapback应力期间可以屏蔽雪崩热空穴注入栅氧化层，使器件snapback开态和关态特性退化变小．
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