作者：朱林; 陈卫东; 谢征微; 李伯臧双自旋过滤隧道结隧穿磁电阻
摘要：在NM／FI／FI／NM型双自旋过滤隧道结（此处NM为非磁金属层，FI为铁磁绝缘体或半导体层）的基础上，我们提出一种NM／FI／NI／FI／NM新型双自旋过滤隧道结（此处NI表示非磁绝缘体或半导体层）．插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响．在自由电子近似的基础上，利用转移矩阵方法，对NM／FI／NI／FI／NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究．计算结果表明，在NM／FI／NI／FI／NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值。
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