作者：白锁柱; 姚斌; 苏文辉高温高压拉曼和红外光谱化合物raman散射非晶半导体真空热处理电导激活能六方结构合成
摘要：以硼酸和三聚氰胺为原料，利用化学法、真空热处理及高温高压技术对BCN化合物的形成、结构及相变进行了研究．在真空10^-3Pa条件下，经1273K高温热处理得到非晶B-C-N前驱物．这种前驱物在920K以下为绝缘体，在920K由绝缘体转变为非晶半导体．在973-1003K和1013-1073K范围这种非晶半导体表现出不同的电导一温度关系，电导激活能分别为0．34eV和1．10eV，表明在两个不同的温度区域这种非晶半导体的导电机构不同．将这种前驱物在3．5GPa，经1473K退火40min后由非晶态转化为单相六方结构的B-C-N晶体，其成分为B0.44C0.27N0.29，晶格常数为a=0．2515nm，c=0．6684nm．六方B0.44C0.27N0.29晶体在1330，1364，1588和1617cm^-1出现四个强的Raman散射峰，其中1330和1617cm^-1被认为是六方B0.44C0.27N0.29晶体特征Raman散射峰.
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