作者：邵嘉平; 胡卉; 郭文平; 汪莱; 罗毅; 孙长...in组分多量子阱材料gan荧光谱发光二极管注入条件内建电场双峰现象电致荧光复合机理mqws有源区电流反常
摘要：研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
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