作者：张晓丹; 赵颖; 高艳涛; 朱锋; 魏长春; 孙...微晶硅薄膜稳定性研究结构化学气相沉积技术衬底温度傅里叶变换等离子体增强二次离子质谱红外吸收测试分析制备材料甚高频氢含量氧含量后氧化
摘要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.
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