作者：严成锋; 赵广军; 杭寅; 张连翰; 徐军光谱特性闪烁晶体x射线粉末衍射分析gaussian发射光谱提拉法生长光学显微镜中频感应吸收光谱单斜晶系晶体结构激发光谱特征吸收lps空间群吸收峰带状谱跃迁
摘要：采用中频感应提拉法生长出Ce:Lu2Si2O7(Ce:LPS)晶体.通过x射线粉末衍射分析,晶体结构属单斜晶系的C2/m空间群.光学显微镜下可观测到晶体的(110)解理.在室温下测试了Ce:LPS晶体的吸收光谱、激发光谱和发射光谱.结果表明,Ce:LPS晶体的吸收峰只有两个,分别位于302和349 nm,且与激发峰的位置一致,归因于Ge3+的4f1→5d1跃迁的特征吸收所致.发射光谱具有Ce3+典型的双峰特征,经Gaussian多峰值拟合,带状谱是由384和407 nm两个发射峰叠加而成,且后者的强度明显高于前者.
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