作者：孟志国; 吴春亚; 李娟; 熊绍珍; 郭海成; ...轻掺杂漏金属诱导结构栅控晶化多晶硅薄膜晶体管有源矩阵显示器玻璃衬底漏电电流poly迁移率硅器件均匀性tft技术si
摘要：提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT-MIUC plly-Si TFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM-LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT-MIUCpoly-Si TFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.
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