作者：汤乃云; 陈效双; 陆卫量子点压力系数非线性弹性砷化镓半导体
摘要：采用有效质量模型和非线性弹性理论计算了不同尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱发光峰的压力系数(PC).量子点峰位随压力的变化主要来自禁带宽度和电子束缚能随压力变化两方面的贡献.由于InAs/GaAs量子点是一个应变体系,体系的晶格常数,失配应变和弹性系数均随外加压力变化,使得加压后量子点的禁带宽度相对于非应变体系略有减小,同时势垒高度增加,电子束缚程度增加.两者共同作用引起的InAs应变层的禁带宽度压力系数减小是导致量子点的压力系数小于InAs体材料的主要原因.同时计算结果表明,电子束缚能随压力变化对不同尺寸量子点的压力系数的影响不同,量子点尺寸越小,受其影响越大,压力系数也越大.
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