作者：陶科玉; 张曰理; 莫党临界点跃迁禁带介电谱表面氧化光谱真值影响层厚效应
摘要：运用椭偏技术和分数维空间方法，对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响．计算结果表明，表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变，由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移：振幅与维度值较小，寿命线宽较大，并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强．但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小，可忽略不计．
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