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纳米单晶与多晶铜薄膜力学行为的数值模拟研究

作者:王秀喜; 梁海弋; 吴恒安粒子运动铜薄膜位错最大值单晶薄膜分子动力学模拟温度效应塑性变形晶界力学行为

摘要:通过对不同温度下单晶薄膜的拉伸性能的分子动力学模拟,从微观角度揭示了温度效应对材料性能的影响.结果表明温度效应对材料的变形机理影响很大.0K温度下由于缺乏热激活软化的影响,粒子运动所受到的阻碍较大,薄膜的强度较高,塑性变形主要来自于粒子的短程滑移.温度升高,粒子的热运动加剧,屈服强度降低,塑性变形将主要来自于大范围的位错长程扩展.多晶薄膜的模拟结果表明,虽然其晶粒形状较为特殊,但是它仍然遵循反Hall—Petch关系.在模拟过程中,侧向应力最大值比拉伸方向应力的最大值滞后出现.位错只会从晶界产生并向晶粒内部传播,晶粒间界滑移是多晶薄膜塑性变形的主要来源.

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物理学报

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