作者：郭旭光; 陈效双; 孙沿林; 周孝好; 孙立忠...第一性原理反铁磁自旋空穴赝势磁性密度泛函理论高居里温度代替施主
摘要：基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子(Mn1)对(Ga，Mn)As体系电子结构和磁性的影响．计算结果表明Mn1在GaAs中是施主；代替Ga位的MnGa与Mn1的自旋按反铁磁序排列；静电相互作用使MnGa，Mn1倾向于形成MnGa-Mn1对,Mn1的存在一方面补偿了(Ga，Mn)As中的空穴，降低了空穴浓度；同时还使邻近的Mn1Ga失活,Mn1的存在对获得高居里温度的(Ga，Mn)As是极为不利的．
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