作者：张鹏锋; 夏钟福; 安振连; 吴贤勇电荷密度驻极体俘获效应正电薄膜充电参数电晕输运特性温区
摘要：研究了栅控恒压正电晕充电的聚四氟乙烯(PTFE)薄膜驻极体的电荷储存与输运特性．结果显示在100℃以下的较低温区和高于150％，尤其是高于180％的较高温区内慢再俘获效应控制着脱阱电荷的输运；而在约100-50％的温区内快再俘获效应占主导地位．初始表面电位的增加将导致电荷密度衰减加剧，通过合理控制充电参数和组合热处理工艺，可使同样储存有足够高的电荷密度的正负充电的PTFE薄膜驻极体既显示出相近的电荷储存寿命，又具有突出的电荷稳定性．
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