作者：刘新福; 孙以材; 张艳辉; 陈志永四探针技术方形四探针微区电阻探针游移半导体测量rymaszewski公式
摘要：提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法，从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式．讨论探针游移对测试结果的影响,制定出可操作的测试方法，对实际样品进行测试验证，并绘制了等值线图
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《物理学报》（CN：11-1958/O4）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001—2010年度“百种杰出期刊”奖，中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项，2009年获得“新中国60年有影响力的期刊”荣誉称号，2010年荣获出版界国家最高奖——中国政府出版奖期刊奖，2012年和2013年连续获得“中国最具国际影响力学术期刊”荣誉称号，2013年获得国家新闻出版广电总局评定的“全国百强科技期刊”。
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