作者：薛建明; 二宫咎; 今西信嗣飞行时间谱仪动能分布溅射产额二氧化硅溅射束流强度硅离子
摘要：利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeVSi离子轰击siO2产生的Si^+二次离子动能分布和溅射产额,实验发现，当入射离子能量在1-2Mev时，溅射产额随离子能量上升而下降，这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释；当入射离子能量高于3MeV时，溅射产额随离子能量上升而增加，电子溅射机理开始占主要地位，并且溅射规律与热峰模型的预期符合．通过对实验结果的综合分析，得到了重离子溅射SiO2的普适溅射产额公式·
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