作者：李宏年铷掺杂c60单晶相衍变吸附相薄膜物理同步辐射光电子能谱价带电子能谱填隙化合物
摘要：在C60单晶超高真空解理面上制备C60的Rb填隙化合物薄膜，用同步辐射光电子能谱研究了相衍变过程，观察到对应于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的电子态密度分布，当数纳米厚Rb3C60薄膜在C60单晶(111)解理面形成后，室温条件下进一步沉积Rb至样品表面不产生fcc到bct或bcc结构相变，C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得样品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相，价带电子能谱结果表明这两种表面相为金属性，Rb3d芯态电子能谱测量进一步证实了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在。
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