作者：谢宁致; 祝巍azo薄膜磁控溅射衬底温度真空退火电学性能
摘要：探究了不同衬底温度下由磁控溅射法制备的氧化锌掺铝（AZO）薄膜的结构、光学和电学性能,以及快速退火处理对样品电学性能的改善作用.实验结果表明：随着衬底温度的升高,薄膜样品的载流子浓度、霍尔迁移率和电导率提高,并在400℃附近达到较好水平,但高温的衬底沉积出的样品薄膜的XRD图谱半高全宽相对于低温衬底并没有明显变小.测量退火处理后的样品薄膜的电学性质,发现短时间的真空退火能改善低温沉积的AZO薄膜的电导率,与提高衬底温度有类似的改善效果,700℃的退火温度能达到最好效果.
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