作者：曹梦雄; 王兴宇; 马亚茹; 马春林; 周卫平...mgo单晶中子辐照点缺陷rsm色心
摘要：对MgO（110）单晶进行中子辐照，辐照剂量从1．0×10^16到1．0×10^20cm^-2。基于黄昆漫散射理论，我们计算了MgO晶体中的立方缺陷和偶极力缺陷引起的X射线漫散射强度分布图。通过X射线漫散射及紫外．可见光（uv．Vis）吸收光谱实验表征了晶体的点缺陷组态，并利用超导量子干涉仪（SQUID）测量了样品的磁性。“卜2e和摇摆曲线说明MgO单晶经中子辐照后产生了晶格畸变，晶体中存在一定浓度的点缺陷。倒易空间图（RSM）显示中子辐照的MgO单晶存在漫散射现象。与计算得到的漫散射分布图对比分析可知，中子辐照的MgO（110）单晶中产生了弗仑克尔缺陷。UV-Vis吸收光谱表明所有辐照晶体中存在阴离子单空位缺陷。辐照剂量较高（1．0×10^19和1．0×10^20 cm^-2）的样品中存在O空位的聚集。磁性测量显示中子辐照后的MgO（110）单晶在室温下依然是抗磁性，但在低温下具有铁磁性，最大饱和磁化强度达到O．058emu·g^-。通过中子辐照的方法，可以使MgO（110）单晶产生点缺陷引起的低温铁磁性。利用F色心交换机制可以解释中子辐照MgO晶体中的O空位缺陷与铁磁性之间的关系。
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