作者：汤育欣 陶杰 张焱焱 吴涛 陶海军 包祖国射频磁控溅射室温fto导电玻璃tio2纳米管阵列
摘要：在掺氟的SnO2（FTO）导电玻璃衬底上采用射频磁控溅射的方法室温沉积纯Ti薄膜，以NH4F/甘油为电解液，经电化学阳极氧化得到结构有序、微米级的TiO2纳米管阵N／FTO复合结构，并通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）以及光电化学的方法对纳米管阵列进行了表征．研究表明，在氩气气压为0．5Pa，功率为150W，时间为0．5h条件下在导电玻璃上室温沉积获得钛膜的结构为晶带T型组织，表面均匀性好且致密度较高；在电压为30V下，随着阳极氧化时间从1h延长至3h，纳米管的管径从50nm增加到75nm，纳米管的长度从750nm增至1100nm后减至800nm，管壁由平滑变为波纹状；随氧化电压的升高，纳米管管径逐渐增大，而表面覆盖物逐渐减少，可通过在稀的HF溶液（0．05％（w，质量分数））中超声清洗去除；此外，瞬态光电流测试表明结晶的电极表现出更好的光电转换性能，紫外光照射下能促进TiO2光生载流子有效分离，在热处理温度为450℃时，具有较高的光电化学性能．
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