作者：姚素薇; 吴海霞; 王宏智; 张卫国颗粒膜电沉积相分离巨磁电阻超顺磁性
摘要：采用电化学沉积方法在半导体Si上制备Cu-Co金属颗粒膜.XRD测试结果表明制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,薄膜经退火后,XRD谱图中出现了析出的纯金属Co的衍射峰,这表明薄膜在退火过程中发生了相分离.TEM测试结果也进一步证实了磁性的Co颗粒从非磁性的铜基体中析出.随着退火温度的增加,颗粒膜巨磁电阻(GMR)效应不断增大,当退火温度为450℃时,Co0.20Cu0.30薄膜的巨磁电阻效应达到最大,磁阻率为8.21%.之后,磁阻率又随退火温度的升高而降低.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力、剩余磁化强度和饱和磁化强度均随退火温度的增高而逐渐增大.超顺磁性颗粒的作用导致了GMR-H与M-H曲线的不同.
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