作者：孔德生; 李亮铬钝化膜电容测量受主浓度平带电位
摘要：利用电容测量技术,基于Mo~-Sckottky分析,研究了在0.5 mol·L-1H2SO4溶液中铬表面氧化膜的半导体性质,以及膜形成条件的影响.结果表明,铬在钝化电位区内所形成的表面氧化膜具有p-型半导体特性,膜的厚度约(1.2±0.3)nm.膜的阻抗响应表现出低频弥散行为,可以用介电弛豫普适定律来描述.膜的掺杂浓度M随成膜电位及极化时间的延长而增大,溶液pH值则通过改变膜的表面电荷而影响膜的平带电位EFs.
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