作者：刘雪峰; 马骏超; 孙栋能谷自由度二维材料过渡族硫化物自旋轨道耦合圆偏振自旋注入
摘要：电子的电荷自由度与自旋自由度是现代电子器件的基础核心之一。随着二维材料，尤其是二维过渡族硫化物（TMDCs）的研究深入，另一个自由度——能谷——也引起了人们极大的研究兴趣。由于TMDCs中自旋与能谷的强耦合，自旋（能谷）可以通过能谷（自旋）方便地进行调控和探测，为电子自旋和能谷的相关领域提供了新的手段和方法。文章首先对能谷自由度以及TMDCs中自旋与能谷的强耦合进行了介绍，然后介绍基于圆偏振光激发和自旋注入两种方式进行的自旋调控和探测的理论和实验工作，最后对基于能谷的自旋调控进行了总结和展望。
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