谷电子自由度电学调控的首次实现

作者：王海龙; 叶堉; 赵建华; 张翔谷自由度过渡金属硫族化合物磁性半导体垂直磁各向异性电学自旋注入

摘要：对电子电荷和自旋自由度的电学调控奠定了微纳电子器件和自旋电子器件的工作基础,然而人们对固体材料中电子谷自由度的有效电学调控还处在研究探索阶段。文章简要介绍作者在单层过渡金属硫族化合物（TMDC）和磁性半导体（Ga,Mn）As构成的pn结中,利用电学自旋注入方法首次成功实现对电子谷自由度进行电学调控的工作。

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