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拓扑绝缘体薄膜中的缺陷控制

作者:马旭村缺陷控制绝缘体薄膜拓扑扫描隧道显微镜生长动力学分子束外延输运性质

摘要:目前拓扑绝缘体研究面临的重要问题之一是由缺陷产生的体内载流子对输运性质及器件研究的影响。通过精确控制Sb:Te,薄膜的分子束外延生长动力学,并结合扫描隧道显微镜及隧道谱(STM/STS)在原子尺度上识别不同缺陷类型及研究不同缺陷载流子的掺杂特性,

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物理

《物理》(CN:11-1957/O4)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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