作者:李运涛; 徐学俊; 黄庆忠; 俞育德; 余金中绝缘体上的硅纳米线波导
摘要:SOI(silicon-on-insulator)纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一.文章从基本的导波光学理论出发,引入古斯一汉森位移理论,对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果.
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《物理》(CN:11-1957/O4)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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