赝能隙研究新进展

作者：戴闻(编译)赝能隙超导转变温度化合物超导体北京国家大剧院掺杂浓度横坐标圆屋顶

摘要：对铜氧化合物超导体的母材料而言，很低水平的电子-空穴掺杂将导致反铁磁的绝缘体．增加掺杂浓度，材料可能成为导体，并且表现出复杂的物质相．以温度T为纵坐标，掺杂浓度为横坐标，超导相在T=0K以上的低温区围出一个“鸟蛋”图样，就像北京国家大剧院的圆屋顶，圆屋顶线给出的温度即为特定掺杂浓度材料的超导转变温度Tc．

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