作者：云中客石墨manchester电子迁移率半导体装置速率物理参数难易程度硅半导体
摘要：内禀电子迁移率（intrinsicelectronmobility）是测定电子在晶格中移动难易程度的一个物理参数，它的单位为cm^2／Vs．它又是使半导体装置能否小型化与快速运行的重要依据、最近由英国Manchester大学G．Gein教授为首的跨国（包括俄罗斯、荷兰和美国）科学家组成的研究组进行了一项极有成效的工作,他们发现二维石墨烯薄层（只有一个原子大小的厚度）半导体的内禀电子迁移率高达200，000cm^2／Vs，这要比硅半导体的内禀电子迁移率（1500cm^2／Vs）高100倍，比砷化镓（8500cm^2／Vs）高20倍。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
