自组生长的硅纳米管的稳定性研究

作者：唐元洪; 裴立宅; 陈扬文; 郭池自组生长的硅纳米管稳定性腐蚀生长机理

摘要：文章作者的研究小组在世界上首次合成自组生长的硅纳米管（SiNTs）后,对它的稳定性研究又获得进展.采用5wt%的HF酸对自组生长的硅纳米管的稳定性进行了研究,研究表明HF酸可以去除硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管,说明所得到的硅纳米管是一种稳定结构,因而使其应用研究开发成为可能.研究表明,硅纳米管的稳定性与其生长形成过程密切相关。

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