作者：常昊; 杨莉; 王丽君; 吴健; 段文晖金属化氢桥键
摘要：文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC(001)-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC(001)-32表面金属化的一种新机制:通过形成氢桥键(Si-H-Si 复合结构)形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.
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《物理》（CN：11-1957/O4）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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