作者：戴闻控制纳米管磁性金属多层膜掺杂场效应晶体管1988年硬盘驱动器ibm公司1977年自旋晶体管自旋自由度半导体技术巨磁电阻gmr电场能绝缘体电子通道硅基
摘要：1988年，基于磁性金属多层膜的巨磁电阻(GMR)效应被发现．1977年IBM公司将GMR读出头引入到硬盘驱动器，从此这类利用电子自旋自由度更深层次的应用在于构成自旋晶体管，并且使得当今高度发展的硅基半导体技术继续发挥作用．在传统的场效应晶体管(FEI)中，门电极电压被用来控制源和漏两极之间的“通一断”，这是因为门电场能够将电子从通道中驱赶出去，使通道从异体变成绝缘体．在自旋FEI中，
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