作者：蒋中英; 黄红波; 徐寒; 黄彦君; 夏元复正电子湮灭多孔硅平均基片薄层射程层厚寿命研究
摘要：用阳极氧化法按不同腐蚀条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十纳米,远小于22Na源的正电子平均射程.文章提出了一种用22Na 的正电子测量体寿命谱并扣除基片贡献的方法,来确定多孔硅薄层的平均孔径.
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《物理》（CN：11-1957/O4）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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