掺杂半导体扫描电镜二次电子像

作者：孙霞; 丁泽军; 吴自勤二次电子掺杂能带半导体杂质浓度电场表面能流技术空间分辨率成像

摘要：综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法.实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到1016cm-3,且空间分辨率高达nm量级,是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术.文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理,详细介绍了两种主要机理:表面能带弯曲和样品外局域电场的出现.

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