作者：胡冬生; 吴兴龙; 熊诗杰; 黄高山; 张正义硅纳米结构光致发光铺空位缺陷双峰蓝光发射电子能级
摘要：报道了在硅纳米结构中417nm和436nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果. 制备了四种包含和没有包含β-SiC纳米晶粒的硅纳米结构, 观察到了417nm和436nm的双峰蓝光发射. 光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关.计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级, 发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合. 这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在417nm和436nm蓝光发射的一种可能的机制.
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