作者：朱小红; 郑东宁钛酸锶钡动态随机存储器介电常数介电损耗居里相变温度dram半导体存储器薄膜厚度薄膜结构薄膜沉积介电弛豫
摘要：铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能：高的介电常数，较低的介电损耗，好的绝缘漏电性能；而且，通过调节材料中的Ba／Sr成分比，可改变材料的居里相变温度Tc，以满足特定应用环境的温度需要，在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景．文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展，并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论．
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