作者：靳素荣; 柳士忠; 张联盟; 杜祖亮; 赵卫锋制备光电性质三缺位钨硅杂多化合物成膜性
摘要：O引言 有机/无机杂化LB膜因其在分子设计与合成方面有高度可塑性、灵活性及多样性,易于制成各种功能材料,在微分子学、信息科学、生物学、材料学等高技术领域有重要的应用前景,近年来引起研究者的关注[1～3].缺位杂多化合物(HPC),具有不对称笼状结构,优良的配位能力,确定的形状大小和电荷及晶格氧的活泼性,电子和质子的传输作用和储备能力,易溶于水和有机溶剂,可作为杂化LB膜的无机成膜材料[4].本课题组曾报道了聚乙烯咔唑与取代Keggin结构杂多化合物制备的一系列的LB杂化膜[3],研究了它们的光电性质.聚1,2-二氢-2,2,4-三甲基喹啉是一种具有大的共轭π键及导电性能的有机高分子化合物,将其与杂多阴离子组装成有机聚合物/杂多阴离子光电功能薄膜,预计杂化组分不仅保持原有各自的性质不变外,还可使杂化膜的光电性增值[6].本文首次报道聚1,2-二氢-2,2,4-三甲基喹啉(PQ)与三缺位钨硅杂多化合物Na10[α-SiW9O34]·21H2O(SiW9)用LB技术组装成PQ/SiW9薄膜,并研究了它们的成膜性及光电性质.
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