核辐射探测器用溴化铊材料的真空蒸馏提纯及其单晶特性研究

作者：郑志平 蒙芳 权琳 王晶 龚树萍 周东祥溴化铊真空蒸馏提纯晶体生长晶体性能

摘要：报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊（TlBr）单晶性能的影响。先以硝酸铊（TlNO3）和氢溴酸（HBr）为原料,采用化学共沉淀法合成了TlBr多晶粉体,然后采用真空蒸馏法（VD）在不同的温度（520~640℃）下对TlBr多晶粉体进行提纯,用电感耦合等离子质谱法（ICP-MS）研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响。接着选用纯度较高的TlBr多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径为8 mm的TlBr单晶。ICP-MS测试结果表明,真空蒸馏提纯后,TlBr多晶粉体杂质含量均减小一个数量级;单晶的X射线衍射（XRD）测试表明,生长出的TlBr单晶其主要生长方向为[110];晶体的电阻率提高1个数量级以上,达到109W.cm,光学特性也明显改善,适合于探测器的制备。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社