作者：袁密; 高峰; 竺昌海; 郑雨佳; 李梓烨; 薛...碳化硅磷掺杂碳热还原法禁带宽度比表面积影响因素
摘要：以葡萄糖粉剂为碳源,沉淀白炭黑为硅源,磷酸为掺杂源,通过碳热还原法制备了磷掺杂碳化硅（SiC）。并利用X射线衍射仪、紫外可见吸收光谱仪、扫描电子显微镜、比表面积测试仪等对不同合成温度、不同掺杂浓度下所制备样品物相组成、微观形貌以及性质进行了表征。结果表明,磷原子进入SiC晶格,形成了磷掺杂3C-SiC。所制备的SiC样品与白炭黑的微观结构相似,其一次粒子平均粒径约150 nm,最高比表面积84.4 m^2/g。当n（P）∶n（Si）≥0.01时,掺杂达到饱和。随着温度升高,SiC禁带宽度降低,1 350℃后变化微弱,1 400℃时,比表面积最大。合成磷掺杂SiC的原料廉价易得,工艺简单,有望实现工业化生产。
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