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利用正硅酸乙酯制备二氧化硅膜

作者:王涛; 杨茂文; 李艳琼; 程莉莉; 王升高; ...二氧化硅膜正硅酸乙酯微波等离子体化学气相沉积法表面反应

摘要:以正硅酸乙酯为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下在Si基片上制备了SiO2膜,着重研究了正硅酸乙酯注入位置对SiO2膜结构的影响.实验表明,在利用等离子体化学气相沉积法制备SiO2膜时,表面反应是低温条件下获得高质量膜的重要条件之一;同时射频偏压的使用有利于提高膜的致密度.

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武汉工程大学学报

《武汉工程大学学报》(CN:42-1779/TQ)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《武汉工程大学学报》主要刊登化学工艺与工程、生物工程、化学制药与工程、材料科学与工程、环境科学与工程、矿物加工工程、土木工程、机电工程、计算机科学与工程、物理与热能工程等自然科学的学术论文、研究报告和综合性学术评论。

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