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用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

作者:王柱 柯君玉 李辉 庞锦标 戴益群 赵有文正电子符合多普勒展宽氧化锌缺陷

摘要:利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应.经900℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.

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武汉大学学报·理学版

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