作者：张兰月 任峰 肖湘衡 蔡光旭 李芳 蒋昌忠离子注入量子点热退火
摘要：将Zn／F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400，600，700℃下进行了退火．用光学吸收谱、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对退火的样品进行分析，发现在600℃退火后ZnO量子点已经形成．二次离子质谱仪（SIMS）测试发现在溅射时间为2S时Si，Zn元素同时出现，说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜．从原子力显微镜（AFM）图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面，说明在衬底的内部形成了ZnO量子点．F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子．
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